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美国IR可控硅整流桥二极管晶闸管
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美国IR(International Rectifier)公司是功率半导体领域的先驱企业,其发展历程和技术如下:
1. 公司背景
成立与总部:1947年由埃里克·埃里克森和冯·卡多尼在美国加利福尼亚州埃尔塞贝里创立,最初以智能电路保护设备起家
技术里程碑:1959年推出商用硅可控整流器件(SCR),1962年开发外延工艺生产高压SCR,1979年HEXFET功率MOSFET
收购与现状:2014年被英飞凌科技以约30亿美元收购,成为其子公司,但保留原有技术品牌
2. 核心产品与技术
功率器件:包括HEXFET功率MOSFET、IGBT、高压栅极驱动器(HVIC)及智能功率模块,以高效率和可靠性著称
创新技术:1974年采用玻璃钝化工艺生产大功率达林顿管,1996年推出4-mask工艺第五代HEXFET
应用领域:覆盖汽车电子(如电动车动力系统)、工业电机控制、太阳能逆变器及医疗设备
3. 市场地位与影响
行业贡献:PFC芯片(1990年)和便携式车载电源(2000年)的开发者,推动电源管理技术革新
优 势:HEXFET、IGBT等产品技术,与英飞凌产品线形成互补,强化了在功率转换领域的优势。
4.平板型封装
结构特点:通过金属底板直接压接散热,适用于高功率场景(如高压直流输电HVDC),典型型号如ST1200C16K0P
5. 螺栓型封装
应用场景:常见于50RIA120等型号,采用英制螺纹(如M6牙)固定,便于工业设备安装
兼容性:与Vishay等国际品牌封装规格兼容,便于替换
我司型号齐全:快速熔断器、储能熔断器、圆型管式快速熔断器、光伏熔断器、万用表保险丝、NHG熔断器等、IGBT、晶闸管、可控硅、二极管等;其他品牌英飞凌、巴斯曼、赛米控、西门子、斯达等均有合作。