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斯达整IGBT模块SiC模块PM模块
GD50HFT120C1S_T4、GD50HFT120C1SU、GD50HFT120C1SW、GD75CUT120C1S_G8、GD75HFT120C1S_G8、GD75HFT120C1S_T4、GD75HFT120C1S_T4F、GD100HFT120C1S_G8、GD100HFT120C1S_T4、GD100HFT120C1S_T4F、GD100SGL120C1S、GD150CUT120C1S、GD150CUT120C1S_G8、GD150HFL120C1S、GD150HFT120C1S_G8、GD200HFT120C1S_G8、GD25SGT120T2S、
斯达整IGBT模块SiC模块PM模块
一、型号命名规则
电压等级:型号中的数字部分表示电压值(如GD50HFK60C1S中的“60"代表600V,GD600HFT65B3S中的“65"代表650V)
电流等级:数字部分同样标注电流(如GD50HFK60C1S的50A,GD600HFT65B3S的600A)
封装类型:字母部分标识封装形式(如HFK、HPT等)
二、常见型号及参数
600V/650V系列:
GD50HFK60C1S(600V/50A)
GD600HFT65B3S(650V/600A)
1200V系列:
GD150TLT120B3S(1200V/150A)
GD1200SGT120A3S(1200V/1200A)
1700V系列:
GD75PIT170C6S(1700V/75A)
GD200CUL170C2S(1700V/200A)
三、应用与供应商
应用场景:工业变频器、新能源发电、电动汽车等
供应商分布:福建泉州、江苏苏州等地均有现货供应,部分型号支持破损包退及专票服务
四、引脚定义(以RD200PBS160C5S为例)
包含电源(VCC/GND)、数据输入/输出(MOSI/MISO)、模拟输入/输出(ADC/DAC)等引脚,需注意阻抗匹配和电压范围
封装规格
斯达模块的封装尺寸因型号不同而有所差异,
GD25PJA120L2SF型号采用107×47×17.5mm的封装
GD800SGT120C3S型号的尺寸为106.4×61.4×30.9mm
部分模块采用平板基板设计,如GD25PJA120L2S系列
其他包装特征
部分模块标注为“盒装",如GD25PJA120L2S
工业级模块可能采用标准19英寸机架安装设计,如HKVO500静止滤波模块
斯达半导体股份有限公司(Starpower Semiconductor Ltd)成立于2005年4月27日,总部位于浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号,是一家专业从事以IGBT为核心的功率半导体芯片和模块研发、生产与销售的高新技术企业
我司型号齐全:快速熔断器、储能熔断器、圆型管式快速熔断器、光伏熔断器、万用表保险丝、NHG熔断器等、IGBT、晶闸管、可控硅、二极管等;其他品牌英飞凌、巴斯曼、赛米控、西门子、斯达等均有合作。